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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP31N50L
IRFP31N50L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP31N50L - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFP31N50L
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP31N50L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP31N50L.pdf
En stock: 5490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP31N50L
Vishay Siliconix - IRFP31N50L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFP31N50L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 460W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP31  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFP31N50L

Attributs du produit IRFP31N50L IRFP2907PBF IRFP3006PBF IRFP31N50LPBF
Modèle de produit IRFP31N50L IRFP2907PBF IRFP3006PBF IRFP31N50LPBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 13000 pF @ 25 V 8970 pF @ 50 V 5000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Séries - HEXFET® - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 75 V 60 V 500 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc) 209A (Tc) 195A (Tc) 31A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 460W (Tc) 470W (Tc) 375W (Tc) 460W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base IRFP31 IRFP2907 IRFP3006 IRFP31
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 620 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 19A, 10V 4.5mOhm @ 125A, 10V 2.5mOhm @ 170A, 10V 180mOhm @ 19A, 10V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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