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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP23N50L
IRFP23N50L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP23N50L - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFP23N50L
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP23N50L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP23N50L.pdf
En stock: 3600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP23N50L
Vishay Siliconix - IRFP23N50L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFP23N50L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP23  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFP23N50L

Attributs du produit IRFP23N50L IRFP22N60KPBF IRFP240PBF IRFP22N60K
Modèle de produit IRFP23N50L IRFP22N60KPBF IRFP240PBF IRFP22N60K
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 200 V 600 V
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 3570 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 3570 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc) 370W (Tc) 150W (Tc) 370W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 22A (Tc) 20A (Tc) 22A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRFP23 IRFP22 IRFP240 IRFP22
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 14A, 10V 280mOhm @ 13A, 10V 180mOhm @ 12A, 10V 280mOhm @ 13A, 10V

Fiche technique IRFP23N50L PDF

Téléchargez IRFP23N50L PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFP23N50L - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFP23N50L

Vishay Siliconix
32D-IRFP23N50L

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