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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP15N60LPBF
IRFP15N60LPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP15N60LPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFP15N60LPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP15N60LPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 15A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP15N60L,SiHFP15N60L.pdf
État RoHS
En stock: 3880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP15N60LPBF
Vishay Siliconix - IRFP15N60LPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFP15N60LPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 280W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP15  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFP15N60LPBF

Attributs du produit IRFP15N60LPBF IRFP22N50A IRFP17N50L IRFP150PBF
Modèle de produit IRFP15N60LPBF IRFP22N50A IRFP17N50L IRFP150PBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 2760 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 9A, 10V 230mOhm @ 13A, 10V 320mOhm @ 9.9A, 10V 55mOhm @ 25A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 600 V 500 V 500 V 100 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Numéro de produit de base IRFP15 IRFP22 IRFP17 IRFP150
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 22A (Tc) 16A (Tc) 41A (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 280W (Tc) 277W (Tc) 220W (Tc) 230W (Tc)

Fiche technique IRFP15N60LPBF PDF

Téléchargez IRFP15N60LPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFP15N60LPBF - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFP15N60L,SiHFP15N60L.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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