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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFL110TR
IRFL110TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFL110TR - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFL110TR
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFL110TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRFL110, SiHFL110.pdf
En stock: 4470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFL110TR
Vishay Siliconix - IRFL110TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFL110TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFL110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFL110TR

Attributs du produit IRFL110TR IRFL110 IRFL210TR IRFL210TRPBF
Modèle de produit IRFL110TR IRFL110 IRFL210TR IRFL210TRPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRFL110 IRFL110 IRFL210 IRFL210
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Tc) 1.5A (Tc) 960mA (Tc) 960mA (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 1.5Ohm @ 580mA, 10V 1.5Ohm @ 580mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 200 V 200 V

Fiche technique IRFL110TR PDF

Téléchargez IRFL110TR PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFL110TR - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFL110, SiHFL110.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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