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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI9Z34GPBF
IRFI9Z34GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI9Z34GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI9Z34GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI9Z34GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFI9Z34G, SiHFI9Z34G.pdf
État RoHS
En stock: 21001

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI9Z34GPBF
Vishay Siliconix - IRFI9Z34GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI9Z34GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 7.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI9Z34GPBF

Attributs du produit IRFI9Z34GPBF IRFIB5N65APBF IRFI9Z34N IRFI9Z24G
Modèle de produit IRFI9Z34GPBF IRFIB5N65APBF IRFI9Z34N IRFI9Z24G
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 60W (Tc) 37W (Tc) 37W (Tc)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220-3
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 60 V 650 V 55 V 60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1417 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 7.2A, 10V 930mOhm @ 3.1A, 10V 100mOhm @ 7.8A, 10V 280mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base IRFI9 IRFIB5 - IRFI9
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - HEXFET® -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 5.1A (Tc) 14A (Tc) 8.5A (Tc)

Fiche technique IRFI9Z34GPBF PDF

Téléchargez IRFI9Z34GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI9Z34GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
IRFI9Z34G, SiHFI9Z34G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFI9Z34GPBF

Vishay Siliconix
32D-IRFI9Z34GPBF

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