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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFD9020PBF
IRFD9020PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFD9020PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFD9020PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFD9020PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Description détaillée
Emballage
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Fiche technique
IRFD9020.pdf
État RoHS
En stock: 68910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFD9020PBF
Vishay Siliconix - IRFD9020PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFD9020PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 4-HVMDIP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 960mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta)  
Numéro de produit de base IRFD9020  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFD9020PBF

Attributs du produit IRFD9020PBF IRFD9110 IRFD9110PBF IRFD9120
Modèle de produit IRFD9020PBF IRFD9110 IRFD9110PBF IRFD9120
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation
Package / Boîte 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Séries - - - -
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IRFD9020 IRFD9110 IRFD9110 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 960mA, 10V 1.2Ohm @ 420mA, 10V 1.2Ohm @ 420mA, 10V 600mOhm @ 600mA, 10V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta) 700mA (Ta) 700mA (Ta) 1A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique IRFD9020PBF PDF

Téléchargez IRFD9020PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFD9020PBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Mult Dev 01/Feb/2023.pdf
Feuilles de données
IRFD9020.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFD9020PBF

Vishay Siliconix
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