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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFD224
IRFD224 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFD224 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFD224
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFD224
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Description détaillée
Emballage
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Fiche technique
IRFD224.pdf
En stock: 3740

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFD224
Vishay Siliconix - IRFD224 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFD224

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 4-HVMDIP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 380mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 630mA (Ta)  
Numéro de produit de base IRFD224  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFD224

Attributs du produit IRFD224 IRFD420PBF IRFD214PBF IRFD213
Modèle de produit IRFD224 IRFD420PBF IRFD214PBF IRFD213
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 250 V 500 V 250 V 250 V
Package composant fournisseur 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 630mA (Ta) 370mA (Ta) 450mA (Ta) 450mA (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 380mA, 10V 3Ohm @ 220mA, 10V 2Ohm @ 270mA, 10V 2Ohm @ 270mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRFD224 IRFD420 IRFD214 -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V
Package / Boîte 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V
Séries - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRFD224 PDF

Téléchargez IRFD224 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFD224 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFD224.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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