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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFBC30ALPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFBC30ALPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFBC30ALPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFBC30ALPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRFBC30ALPBF.pdf
État RoHS
En stock: 43510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFBC30ALPBF
Vishay Siliconix - IRFBC30ALPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFBC30ALPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 74W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFBC30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFBC30ALPBF

Attributs du produit IRFBC30ALPBF IRFBC30ASPBF IRFBC20LPBF IRFBC20SPBF
Modèle de produit IRFBC30ALPBF IRFBC30ASPBF IRFBC20LPBF IRFBC20SPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Numéro de produit de base IRFBC30 IRFBC30 IRFBC20 IRFBC20
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Séries - - - -
Package composant fournisseur I2PAK D²PAK (TO-263) TO-262-3 D²PAK (TO-263)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A (Tc) 3.6A (Tc) 2.2A (Tc) 2.2A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IRFBC30ALPBF PDF

Téléchargez IRFBC30ALPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFBC30ALPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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