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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFB20N50KPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFB20N50KPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFB20N50KPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFB20N50KPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFB20N50K.pdf
État RoHS
En stock: 17237

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFB20N50KPBF
Vishay Siliconix - IRFB20N50KPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFB20N50KPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 280W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2870 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFB20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFB20N50KPBF

Attributs du produit IRFB20N50KPBF IRFB18N50KPBF IRFB17N50LPBF IRFB23N20D
Modèle de produit IRFB20N50KPBF IRFB18N50KPBF IRFB17N50LPBF IRFB23N20D
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 200 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 12A, 10V 290mOhm @ 10A, 10V 320mOhm @ 9.9A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2870 pF @ 25 V 2830 pF @ 25 V 2760 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numéro de produit de base IRFB20 IRFB18 IRFB17 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 280W (Tc) 220W (Tc) 220W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 17A (Tc) 16A (Tc) 24A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
Séries - - - HEXFET®

Fiche technique IRFB20N50KPBF PDF

Téléchargez IRFB20N50KPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFB20N50KPBF - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Feuilles de données
IRFB20N50K.pdf

Mode de transport

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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