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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9Z34STRL
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9Z34STRL - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF9Z34STRL
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9Z34STRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF9Z34S, SiHF9Z34S.pdf
En stock: 4530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9Z34STRL
Vishay Siliconix - IRF9Z34STRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF9Z34STRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF9Z34STRL

Attributs du produit IRF9Z34STRL IRF9Z34STRR IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34SPBF
Modèle de produit IRF9Z34STRL IRF9Z34STRR IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34SPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numéro de produit de base IRF9 IRF9 IRF9Z34 IRF9Z34
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 11A, 10V 140mOhm @ 11A, 10V 140mOhm @ 11A, 10V 140mOhm @ 11A, 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRF9Z34STRL PDF

Téléchargez IRF9Z34STRL PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF9Z34STRL - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRF9Z34S, SiHF9Z34S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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