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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF840LCS
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF840LCS - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF840LCS
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF840LCS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF840LCS(L)/SiHF840LCS(L).pdf
En stock: 5320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF840LCS
Vishay Siliconix - IRF840LCS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF840LCS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF840  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF840LCS

Attributs du produit IRF840LCS IRF840L IRF840PBF IRF840BPBF
Modèle de produit IRF840LCS IRF840L IRF840PBF IRF840BPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.8A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 850mOhm @ 4A, 10V
Numéro de produit de base IRF840 IRF840 - IRF840
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc) 156W (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 527 pF @ 100 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) I2PAK TO-220AB TO-220AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Séries - - HEXFET® -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 8A (Tc) 8A (Tc) 8.7A (Tc)

Fiche technique IRF840LCS PDF

Téléchargez IRF840LCS PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF840LCS - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRF840LCS(L)/SiHF840LCS(L).pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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