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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF830ASTRL
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF830ASTRL - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF830ASTRL
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF830ASTRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF830AS,AL, SiHF830AS,AL.pdf
En stock: 4520

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF830ASTRL
Vishay Siliconix - IRF830ASTRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF830ASTRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF830  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF830ASTRL

Attributs du produit IRF830ASTRL IRF830AS IRF830APBF IRF830B
Modèle de produit IRF830ASTRL IRF830AS IRF830APBF IRF830B
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc) 4.5A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 74W (Tc) 73W (Tc)
Numéro de produit de base IRF830 IRF830 IRF830 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk

Fiche technique IRF830ASTRL PDF

Téléchargez IRF830ASTRL PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF830ASTRL - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRF830AS,AL, SiHF830AS,AL.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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