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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF820ALPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF820ALPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF820ALPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF820ALPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRF820ASPBF, ALPBF.pdf
État RoHS
En stock: 55170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF820ALPBF
Vishay Siliconix - IRF820ALPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF820ALPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF820  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF820ALPBF

Attributs du produit IRF820ALPBF IRF820SPBF IRF820 IRF820
Modèle de produit IRF820ALPBF IRF820SPBF IRF820 IRF820
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation STMicroelectronics
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Numéro de produit de base IRF820 IRF820 IRF8 IRF8
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - PowerMESH™ II PowerMESH™ II
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 315 pF @ 25 V 315 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 80W (Tc) 80W (Tc)
Package composant fournisseur I2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc) 2.5A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc)

Fiche technique IRF820ALPBF PDF

Téléchargez IRF820ALPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF820ALPBF - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRF820ASPBF, ALPBF.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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