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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF614
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF614 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF614
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF614
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF614.pdf
En stock: 3630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF614
Vishay Siliconix - IRF614 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF614

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF614  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF614

Attributs du produit IRF614 IRF614 IRF613 IRF614PBF
Modèle de produit IRF614 IRF614 IRF613 IRF614PBF
Fabricant Vishay Siliconix Harris Corporation Harris Corporation Vishay Siliconix
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V 2Ohm @ 1.6A, 10V 2.4Ohm @ 1.6A, 10V 2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Bulk Bulk Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 135 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRF614 IRF614 - IRF614
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 250 V 250 V 150 V 250 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Tc) 2.7A (Tc) 2.6A (Tc) 2.7A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc) 36W (Tc) 43W (Tc) 36W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB

Fiche technique IRF614 PDF

Téléchargez IRF614 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF614 - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Feuilles de données
IRF614.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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