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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRC730PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRC730PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRC730PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRC730PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220-5
Description détaillée
Emballage
TO-220-5
Fiche technique
IRC730.pdf
État RoHS
En stock: 4640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRC730PBF
Vishay Siliconix - IRC730PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRC730PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-5  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 74W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-5  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Current Sensing  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numéro de produit de base IRC730  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRC730PBF

Attributs du produit IRC730PBF IRC634PBF IRC830PBF IRC840PBF
Modèle de produit IRC730PBF IRC634PBF IRC830PBF IRC840PBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IRC730 IRC634 IRC830 IRC840
Fonction FET Current Sensing Current Sensing Current Sensing Current Sensing
Package composant fournisseur TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5
Package / Boîte TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 400 V 250 V 500 V 500 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc) 8.1A (Tc) 4.5A (Tc) 8A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 74W (Tc) 125W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V 450mOhm @ 4.9A, 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IRC730PBF PDF

Téléchargez IRC730PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRC730PBF - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRC730.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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