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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)Interface - Commutateurs analogiques, multiplexeurs, démultiplexesDG636EEN-T1-GE4
DG636EEN-T1-GE4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DG636EEN-T1-GE4 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
DG636EEN-T1-GE4
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-DG636EEN-T1-GE4
Modèle ECAD
Description des pièces
IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Description détaillée
Emballage
16-UFQFN
Fiche technique
DG636E.pdf
État RoHS
En stock: 53050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DG636EEN-T1-GE4
Vishay Siliconix - DG636EEN-T1-GE4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - DG636EEN-T1-GE4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Alimentation en tension, simple (V +) 3V ~ 16V  
Alimentation en tension, double (V ±) ±3V ~ 8V  
Heure de commutation (Ton, Toff) (Max) 46ns, 55ns  
Circuit de commutation SPDT  
Package composant fournisseur 16-miniQFN (1.8x2.6)  
Séries -  
Package / Boîte 16-UFQFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)  
Résistance à l'état (Max) 96Ohm  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Nombre de circuits 2  
Circuit multiplexeur / démultiplexeur 2:1  
Type de montage Surface Mount  
Courant - Fuite (IS (désactivé)) (Max) 1nA  
Crosstalk -62dB @ 1MHz  
Injection de charge -0.33pC  
Matchage des canaux à canal (& delta; Ron) 300mOhm  
Capacité de canal (CS (désactivé), CD (désactivé)) 3.7pF, 4.4pF  
Numéro de produit de base DG636  
bande de -3 dB 700MHz  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix DG636EEN-T1-GE4

Attributs du produit DG636EEN-T1-GE4 DG636EEQ-T1-GE4 DG641DJ DG641DY
Modèle de produit DG636EEN-T1-GE4 DG636EEQ-T1-GE4 DG641DJ DG641DY
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Résistance à l'état (Max) 96Ohm 96Ohm 15Ohm 15Ohm
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Capacité de canal (CS (désactivé), CD (désactivé)) 3.7pF, 4.4pF 3.7pF, 4.4pF 12pF, 12pF 12pF, 12pF
Heure de commutation (Ton, Toff) (Max) 46ns, 55ns 56ns, 61ns 70ns, 50ns 70ns, 50ns
Alimentation en tension, double (V ±) ±3V ~ 8V ±3V ~ 8V ±3V ~ 15V ±3V ~ 15V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Nombre de circuits 2 2 4 4
Numéro de produit de base DG636 DG636 DG641 DG641
Package composant fournisseur 16-miniQFN (1.8x2.6) 14-TSSOP 16-PDIP 16-SOIC
Package / Boîte 16-UFQFN 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 16-DIP (0.300", 7.62mm) 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Circuit multiplexeur / démultiplexeur 2:1 2:1 1:1 1:1
Injection de charge -0.33pC -0.33pC 19pC 19pC
Crosstalk -62dB @ 1MHz -62dB @ 10MHz -87dB @ 5MHz -87dB @ 5MHz
Alimentation en tension, simple (V +) 3V ~ 16V 3V ~ 16V 3V ~ 15V 3V ~ 15V
bande de -3 dB 700MHz 700MHz 500MHz 500MHz
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Courant - Fuite (IS (désactivé)) (Max) 1nA 500pA 10nA 10nA
Matchage des canaux à canal (& delta; Ron) 300mOhm 2Ohm 1Ohm 1Ohm
Circuit de commutation SPDT SPDT SPST - NO SPST - NO
Séries - - - -

Fiche technique DG636EEN-T1-GE4 PDF

Téléchargez DG636EEN-T1-GE4 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour DG636EEN-T1-GE4 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev 25/Jan/2023.pdf
Fiche technique HTML
DG636E.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-DG636EEN-T1-GE4

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