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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleVS-6ESH02-M3/86A
VS-6ESH02-M3/86A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VS-6ESH02-M3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
VS-6ESH02-M3/86A
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-VS-6ESH02-M3/86A
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
Description détaillée
Emballage
TO-277, 3-PowerDFN
Fiche technique
VS-6ESH02-M3.pdf
État RoHS
En stock: 136040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VS-6ESH02-M3/86A
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-6ESH02-M3/86A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-6ESH02-M3/86A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 940 mV @ 6 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur TO-277A (SMPC)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries FRED Pt®  
Temps de recouvrement inverse (trr) 22 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-277, 3-PowerDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 2 µA @ 200 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base 6ESH02  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6ESH02-M3/86A

Attributs du produit VS-6ESH02-M3/86A VS-6TQ045SPBF VS-6TQ045PBF VS-6ESH01-M3/86A
Modèle de produit VS-6ESH02-M3/86A VS-6TQ045SPBF VS-6TQ045PBF VS-6ESH01-M3/86A
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Capacité à Vr, F - - - -
Package / Boîte TO-277, 3-PowerDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-2 TO-277, 3-PowerDFN
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 45 V 45 V 100 V
Courant - fuite, inverse à Vr 2 µA @ 200 V 800 µA @ 45 V 800 µA @ 45 V 2 µA @ 100 V
Numéro de produit de base 6ESH02 6TQ045 6TQ045 6ESH01
Temps de recouvrement inverse (trr) 22 ns - - 22 ns
La technologie Standard Schottky Schottky Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 940 mV @ 6 A 600 mV @ 6 A 600 mV @ 6 A 940 mV @ 6 A
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A 6A 6A 6A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Séries FRED Pt® - - FRED Pt®
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur TO-277A (SMPC) TO-263AB (D²PAK) TO-220AC TO-277A (SMPC)

Fiche technique VS-6ESH02-M3/86A PDF

Téléchargez VS-6ESH02-M3/86A PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour VS-6ESH02-M3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Wafer Changes 19/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
VS-6ESH02-M3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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VS-6ESH02-M3/86A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-VS-6ESH02-M3/86A

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