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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleVS-30EPF12PBF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VS-30EPF12PBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
VS-30EPF12PBF
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-VS-30EPF12PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC
Description détaillée
Emballage
TO-247-2
Fiche technique
30EPFxx, 30CPFxx.pdf
État RoHS
En stock: 4170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VS-30EPF12PBF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-30EPF12PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-30EPF12PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.41 V @ 30 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1200 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur TO-247AC Modified  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 160 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-2  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 100 µA @ 1200 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base 30EPF12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF12PBF

Attributs du produit VS-30EPF12PBF VS-30ETH06STRLPBF VS-30ETH06FP-F3 VS-30EPH06-N3
Modèle de produit VS-30EPF12PBF VS-30ETH06STRLPBF VS-30ETH06FP-F3 VS-30EPH06-N3
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tension - inverse (Vr) (max) 1200 V 600 V 600 V 600 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
La technologie Standard Standard Standard Standard
Courant - fuite, inverse à Vr 100 µA @ 1200 V 50 µA @ 600 V 50 µA @ 600 V 50 µA @ 600 V
Temps de recouvrement inverse (trr) 160 ns 28 ns 23 ns 31 ns
Package / Boîte TO-247-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-2 Full Pack TO-247-2
Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A 30A 30A 30A
Numéro de produit de base 30EPF12 30ETH06 30ETH06 30EPH06
Package composant fournisseur TO-247AC Modified TO-263AB (D²PAK) TO-220-2 Full Pack TO-247AC Modified
Séries - Automotive, AEC-Q101 FRED Pt® FRED Pt®
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.41 V @ 30 A 2.6 V @ 30 A 2.6 V @ 30 A 2.6 V @ 30 A
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Capacité à Vr, F - - - -

Fiche technique VS-30EPF12PBF PDF

Téléchargez VS-30EPF12PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour VS-30EPF12PBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
DD-005-2014-Rev-0 03/Mar/2014.pdf
PCN Autre
DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
30EPFxx, 30CPFxx.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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