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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxVFT2060G-M3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VFT2060G-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
VFT2060G-M3/4W
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-VFT2060G-M3/4W
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 10A 60V ITO-220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
VFT2060G-M3.pdf
État RoHS
En stock: 64640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VFT2060G-M3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VFT2060G-M3/4W Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VFT2060G-M3/4W

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 900 mV @ 10 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 60 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur ITO-220AB  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 700 µA @ 60 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 10A  
Numéro de produit de base VFT2060  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT2060G-M3/4W

Attributs du produit VFT2060G-M3/4W VFT3060C-E3/4W VFT2060C-M3/4W VFT1045C-M3/4W
Modèle de produit VFT2060G-M3/4W VFT3060C-E3/4W VFT2060C-M3/4W VFT1045C-M3/4W
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tension - inverse (Vr) (max) 60 V 60 V 60 V 45 V
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Numéro de produit de base VFT2060 VFT3060 VFT2060 VFT1045
Package composant fournisseur ITO-220AB ITO-220AB ITO-220AB ITO-220AB
Courant - fuite, inverse à Vr 700 µA @ 60 V 1.2 mA @ 60 V 850 µA @ 60 V 500 µA @ 45 V
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 900 mV @ 10 A 700 mV @ 15 A 650 mV @ 10 A 580 mV @ 5 A
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Séries - TMBS® TMBS® TMBS®
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 10A 15A 10A 5A
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique VFT2060G-M3/4W PDF

Téléchargez VFT2060G-M3/4W PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour VFT2060G-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/May/2018.pdf
Feuilles de données
VFT2060G-M3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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