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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleVB30120S-E3/8W
VB30120S-E3/8W Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VB30120S-E3/8W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
VB30120S-E3/8W
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-VB30120S-E3/8W
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
V(F,B,I)30120S-E3.pdf
État RoHS
En stock: 44710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VB30120S-E3/8W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VB30120S-E3/8W Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VB30120S-E3/8W

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 30 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 120 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-263AB (D²PAK)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries TMBS®  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 120 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base VB30120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30120S-E3/8W

Attributs du produit VB30120S-E3/8W VB30100S-E3/8W MBR1045 1N1194
Modèle de produit VB30120S-E3/8W VB30100S-E3/8W MBR1045 1N1194
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Littelfuse Inc. Solid State Inc.
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Box
Capacité à Vr, F - - 400pF @ 5V, 1MHz -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-2 DO-203AA, DO-4, Stud
Package composant fournisseur TO-263AB (D²PAK) TO-263AB (D²PAK) TO-220AC DO-4
Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A 30A 10A 12A
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 30 A 910 mV @ 30 A 650 mV @ 10 A 1.2 V @ 30 A
Séries TMBS® TMBS® MBR -
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 200°C
Tension - inverse (Vr) (max) 120 V 100 V 45 V -
Numéro de produit de base VB30120 VB30100 MBR104 -
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 120 V 1 mA @ 100 V 1 mA @ 45 V -
La technologie Schottky Schottky Schottky Standard
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Stud Mount

Fiche technique VB30120S-E3/8W PDF

Téléchargez VB30120S-E3/8W PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour VB30120S-E3/8W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 20/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
V(F,B,I)30120S-E3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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