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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxV80100P-E3/45
V80100P-E3/45 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

V80100P-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
V80100P-E3/45
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-V80100P-E3/45
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
V80100P.pdf
État RoHS
En stock: 3800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques V80100P-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V80100P-E3/45 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V80100P-E3/45

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 780 mV @ 40 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-247AD (TO-3P)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries TMBS®  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 800 µA @ 100 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 40A  
Numéro de produit de base V80100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division V80100P-E3/45

Attributs du produit V80100P-E3/45 SDM40E20LS-7 SDURF1040CT V80170PW-M3/4W
Modèle de produit V80100P-E3/45 SDM40E20LS-7 SDURF1040CT V80170PW-M3/4W
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated SMC Diode Solutions Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C -65°C ~ 125°C -55°C ~ 150°C -40°C ~ 175°C
Numéro de produit de base V80100 SDM40 SDURF1040 V80170
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 20 V 400 V 170 V
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Séries TMBS® - - TMBS®
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 780 mV @ 40 A 310 mV @ 100 mA 1.3 V @ 5 A 910 mV @ 40 A
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-3P-3 Full Pack
Package composant fournisseur TO-247AD (TO-3P) SOT-23-3 ITO-220AB TO-3PW
Courant - fuite, inverse à Vr 800 µA @ 100 V 250 µA @ 20 V 30 µA @ 400 V 600 µA @ 170 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
La technologie Schottky Schottky Standard Schottky
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 40A 400mA (DC) - 40A
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Series Connection 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode

Fiche technique V80100P-E3/45 PDF

Téléchargez V80100P-E3/45 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour V80100P-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Feuilles de données
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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V80100P-E3/45

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-V80100P-E3/45

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