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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxV6WM100C-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

V6WM100C-M3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
V6WM100C-M3/I
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-V6WM100C-M3/I
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 6A 100V DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
V6WM100C-M3 ~.pdf
État RoHS
En stock: 5430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques V6WM100C-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V6WM100C-M3/I Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V6WM100C-M3/I

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 740 mV @ 3 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252AA)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries TMBS®  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 150 µA @ 100 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 3A  
Numéro de produit de base V6WM100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6WM100C-M3/I

Attributs du produit V6WM100C-M3/I CDBV6-00340TI-G NTSJ30U100CTG BAT54ATA
Modèle de produit V6WM100C-M3/I CDBV6-00340TI-G NTSJ30U100CTG BAT54ATA
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Comchip Technology onsemi Diodes Incorporated
Courant - fuite, inverse à Vr 150 µA @ 100 V 1 µA @ 10 V 675 µA @ 100 V 4 µA @ 25 V
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 40 V 100 V 30 V
Séries TMBS® - - -
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 3 Independent 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Anode
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252AA) SOT-363 TO-220-2 Full Pack SOT-23-3
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C 125°C (Max) -40°C ~ 150°C 125°C (Max)
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 3A 30mA (DC) 15A 200mA (DC)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 740 mV @ 3 A 370 mV @ 1 mA 800 mV @ 15 A 1 V @ 100 mA
Numéro de produit de base V6WM100 CDBV6-00340 NTSJ30 BAT54
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TO-220-3 Full Pack TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique V6WM100C-M3/I PDF

Téléchargez V6WM100C-M3/I PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour V6WM100C-M3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 20/Mar/2019.pdf Mult Devices EOL 05/Jun/2019.pdf
Feuilles de données
V6WM100C-M3 ~.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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