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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxV60200PGW-M3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

V60200PGW-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
V60200PGW-M3/4W
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-V60200PGW-M3/4W
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO3PW
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique
V60200PGW.pdf
État RoHS
En stock: 4000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques V60200PGW-M3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V60200PGW-M3/4W Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V60200PGW-M3/4W

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.48 V @ 30 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-3PW  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries TMBS®  
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 210 µA @ 200 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 30A  
Numéro de produit de base V60200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60200PGW-M3/4W

Attributs du produit V60200PGW-M3/4W V60100C-M3/4W V60D100CHM3/I V60D100C-M3/I
Modèle de produit V60200PGW-M3/4W V60100C-M3/4W V60D100CHM3/I V60D100C-M3/I
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 30A 30A 30A 30A
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 100 V 100 V 100 V
Courant - fuite, inverse à Vr 210 µA @ 200 V 1 mA @ 100 V 1 mA @ 100 V 1 mA @ 120 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.48 V @ 30 A 790 mV @ 30 A 810 mV @ 30 A 810 mV @ 30 A
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur TO-3PW TO-220-3 TO-263AC (SMPD) SMPD
Séries TMBS® TMBS® Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® eSMP®, TMBS®
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base V60200 V60100 V60D100 V60D100

Fiche technique V60200PGW-M3/4W PDF

Téléchargez V60200PGW-M3/4W PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour V60200PGW-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 08/Nov/2017.pdf
Feuilles de données
V60200PGW.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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