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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleUS1M-M3/5AT
US1M-M3/5AT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

US1M-M3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
US1M-M3/5AT
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-US1M-M3/5AT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Description détaillée
Emballage
DO-214AC, SMA
Fiche technique
US1M-M3/5AT.pdf
État RoHS
En stock: 338850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques US1M-M3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - US1M-M3/5AT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - US1M-M3/5AT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 1 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte DO-214AC, SMA  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base US1M  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1M-M3/5AT

Attributs du produit US1M-M3/5AT US1M-13-F US1M-M3/61T US1MDFQ-13
Modèle de produit US1M-M3/5AT US1M-13-F US1M-M3/61T US1MDFQ-13
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Package / Boîte DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA 2-SMD, Flat Lead
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 1 A 1.7 V @ 1 A 1.7 V @ 1 A 1.7 V @ 1 A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie Standard Standard Standard Standard
Numéro de produit de base US1M US1M US1 US1M
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA) SMA DO-214AC (SMA) D-Flat
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A 1A 1A 1A
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Capacité à Vr, F - 10pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V 5 µA @ 1000 V 10 µA @ 1000 V 5 µA @ 1000 V
Séries - - - Automotive, AEC-Q101

Fiche technique US1M-M3/5AT PDF

Téléchargez US1M-M3/5AT PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour US1M-M3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Multiple Parts 21/Jun/2022.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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US1M-M3/5AT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-US1M-M3/5AT

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