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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleUGF8GT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

UGF8GT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
UGF8GT-E3/45
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-UGF8GT-E3/45
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
Description détaillée
Emballage
TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
UG(F,B)8(F,G)T, BYV29(F,B)-300/-400.pdf
État RoHS
En stock: 3860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques UGF8GT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UGF8GT-E3/45 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UGF8GT-E3/45

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.25 V @ 8 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 400 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur ITO-220AC  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 50 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 400 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base UGF8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF8GT-E3/45

Attributs du produit UGF8GT-E3/45 UGF8JD UGF8JT-E3/45 UGF10J
Modèle de produit UGF8GT-E3/45 UGF8JD UGF8JT-E3/45 UGF10J
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 400 V 500 nA @ 600 V 30 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité à Vr, F - - - -
La technologie Standard Standard Standard Standard
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A 8A 8A 10A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tension - inverse (Vr) (max) 400 V 600 V 600 V 600 V
Package / Boîte TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab TO-220-2 Full Pack TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab TO-220-2 Full Pack
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries - - - -
Package composant fournisseur ITO-220AC ITO-220AC ITO-220AC ITO-220AC
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Numéro de produit de base UGF8 - UGF8 -
Temps de recouvrement inverse (trr) 50 ns 30 ns 50 ns 25 ns
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.25 V @ 8 A 2.3 V @ 8 A 1.75 V @ 8 A 2 V @ 10 A

Fiche technique UGF8GT-E3/45 PDF

Téléchargez UGF8GT-E3/45 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour UGF8GT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 31/Aug/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL NOTICE 23/Aug/2022.pdf
Feuilles de données
UG(F,B)8(F,G)T, BYV29(F,B)-300/-400.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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