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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleUG8DT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

UG8DT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
UG8DT-E3/45
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-UG8DT-E3/45
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Description détaillée
Emballage
TO-220-2
Fiche technique
UG8xT, UGF8xT, UGB8xT.pdf
État RoHS
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques UG8DT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UG8DT-E3/45 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UG8DT-E3/45

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 8 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur TO-220AC  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-2  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 200 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base UG8D  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8DT-E3/45

Attributs du produit UG8DT-E3/45 UG8CT-E3/45 UES706HR2 B345BE-13
Modèle de produit UG8DT-E3/45 UG8CT-E3/45 UES706HR2 B345BE-13
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Microchip Technology Diodes Incorporated
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns 30 ns 50 ns -
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 150 V 400 V 45 V
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Capacité à Vr, F - - - 140pF @ 4V, 1MHz
Package / Boîte TO-220-2 TO-220-2 DO-203AA, DO-4, Stud DO-214AA, SMB
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis, Stud Mount Surface Mount
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A 8A 20A 3A
Package composant fournisseur TO-220AC TO-220AC DO-4 SMB
Numéro de produit de base UG8D UG8C - B345
La technologie Standard Standard Standard Schottky
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 200 V 10 µA @ 150 V 50 µA @ 400 V 300 µA @ 45 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 8 A 1 V @ 8 A 1.25 V @ 20 A 500 mV @ 3 A
Emballer Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Séries - - - -

Fiche technique UG8DT-E3/45 PDF

Téléchargez UG8DT-E3/45 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour UG8DT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 30/Jul/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL NOTICE 23/Aug/2022.pdf
Feuilles de données
UG8xT, UGF8xT, UGB8xT.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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