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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleSS3H9-E3/9AT
SS3H9-E3/9AT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SS3H9-E3/9AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
SS3H9-E3/9AT
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-SS3H9-E3/9AT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO214AB
Description détaillée
Emballage
DO-214AB, SMC
Fiche technique
SS3H9 & SS3H10.pdf
État RoHS
En stock: 137400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SS3H9-E3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS3H9-E3/9AT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS3H9-E3/9AT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 800 mV @ 3 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 90 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur DO-214AB (SMC)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte DO-214AB, SMC  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 20 µA @ 90 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base SS3H9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3H9-E3/9AT

Attributs du produit SS3H9-E3/9AT SS3H10HE3/57T SS3H10HE3_A/I SS3H10HE3_A/H
Modèle de produit SS3H9-E3/9AT SS3H10HE3/57T SS3H10HE3_A/I SS3H10HE3_A/H
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
Numéro de produit de base SS3H9 SS3H10 SS3H10 SS3H10
Package composant fournisseur DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC)
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 800 mV @ 3 A 800 mV @ 3 A 800 mV @ 3 A 650 mV @ 3 A
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A 3A 3A 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 90 V 100 V 100 V 100 V
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacité à Vr, F - - - -
Package / Boîte DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC
Séries - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Courant - fuite, inverse à Vr 20 µA @ 90 V 20 µA @ 100 V 20 µA @ 100 V 20 µA @ 100 V

Fiche technique SS3H9-E3/9AT PDF

Téléchargez SS3H9-E3/9AT PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour SS3H9-E3/9AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Multiple Parts 30/Mar/2022.pdf
Feuilles de données
SS3H9 & SS3H10.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SS3H9-E3/9AT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SS3H9-E3/9AT

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