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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleSS32-E3/9AT
SS32-E3/9AT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SS32-E3/9AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
SS32-E3/9AT
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-SS32-E3/9AT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB
Description détaillée
Emballage
DO-214AB, SMC
Fiche technique
SS32 - SS36.pdf
État RoHS
En stock: 177220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SS32-E3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS32-E3/9AT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS32-E3/9AT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 500 mV @ 3 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 20 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur DO-214AB (SMC)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte DO-214AB, SMC  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 125°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 20 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base SS32  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS32-E3/9AT

Attributs du produit SS32-E3/9AT SS320 R7 SS320B SS310L
Modèle de produit SS32-E3/9AT SS320 R7 SS320B SS310L
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation Yangjie Technology Taiwan Semiconductor Corporation
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base SS32 - - SS310
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 20 V 100 µA @ 200 V - 100 µA @ 100 V
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 125°C -55°C ~ 150°C - -55°C ~ 150°C
Séries - - - -
Package composant fournisseur DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) - Sub SMA
Capacité à Vr, F - - - -
La technologie Schottky Schottky - Schottky
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A 3A - 3A
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 500 mV @ 3 A 950 mV @ 3 A - 850 mV @ 3 A
Tension - inverse (Vr) (max) 20 V 200 V - 100 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Package / Boîte DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC - DO-219AB

Fiche technique SS32-E3/9AT PDF

Téléchargez SS32-E3/9AT PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour SS32-E3/9AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Multiple Parts 30/Mar/2022.pdf
Feuilles de données
SS32 - SS36.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SS32-E3/9AT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SS32-E3/9AT

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