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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleSS1F4HM3/H
SS1F4HM3/H Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SS1F4HM3/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
SS1F4HM3/H
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-SS1F4HM3/H
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AB
Description détaillée
Emballage
DO-219AB
Fiche technique
SS1F4.pdf
État RoHS
En stock: 423040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SS1F4HM3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS1F4HM3/H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS1F4HM3/H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 520 mV @ 1 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 40 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur DO-219AB (SMF)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Package / Boîte DO-219AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 150 µA @ 40 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A  
Capacité à Vr, F 85pF @ 4V, 1MHz  
Numéro de produit de base SS1F4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1F4HM3/H

Attributs du produit SS1F4HM3/H SS1H10-E3/61T SS1FH6HM3/H SS19FA
Modèle de produit SS1F4HM3/H SS1H10-E3/61T SS1FH6HM3/H SS19FA
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi
Tension - inverse (Vr) (max) 40 V 100 V 60 V 90 V
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Package / Boîte DO-219AB DO-214AC, SMA DO-219AB SOD-123W
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 520 mV @ 1 A 770 mV @ 1 A 700 mV @ 1 A 800 mV @ 1 A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité à Vr, F 85pF @ 4V, 1MHz - 90pF @ 4V, 1MHz 55pF @ 4V, 1MHz
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) 175°C (Max) -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A 1A 1A 1A
Séries Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Package composant fournisseur DO-219AB (SMF) DO-214AC (SMA) DO-219AB (SMF) SOD-123FA
Courant - fuite, inverse à Vr 150 µA @ 40 V 1 µA @ 100 V 3 µA @ 60 V 50 µA @ 90 V
Numéro de produit de base SS1F4 SS1H10 SS1FH6 SS19

Fiche technique SS1F4HM3/H PDF

Téléchargez SS1F4HM3/H PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour SS1F4HM3/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021.pdf
Feuilles de données
SS1F4.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SS1F4HM3/H

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SS1F4HM3/H

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