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SS12P3LHM3/86A Image
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SS12P3LHM3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
SS12P3LHM3/86A
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-SS12P3LHM3/86A
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 30V 12A TO277A
Emballage
TO-277, 3-PowerDFN
Fiche technique
SS12P2L & SS12P3L.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4650

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SS12P3LHM3/86A
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS12P3LHM3/86A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS12P3LHM3/86A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 560 mV @ 12 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 30 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-277A (SMPC)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries eSMP®  
Package / Boîte TO-277, 3-PowerDFN  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 30 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 12A  
Capacité à Vr, F 930pF @ 4V, 1MHz  
Numéro de produit de base SS12P3  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12P3LHM3/86A

Attributs du produit SS12P3LHM3/86A SS12L R3G SS12P4S-M3/86A SS12T3G
Modèle de produit SS12P3LHM3/86A SS12L R3G SS12P4S-M3/86A SS12T3G
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division TSC (Taiwan Semiconductor) Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi
Tension - inverse (Vr) (max) 30 V 20V 30 V 20 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 560 mV @ 12 A 450mV @ 1A 600 mV @ 12 A 470 mV @ 1 A
Package composant fournisseur TO-277A (SMPC) Sub SMA TO-277A (SMPC) SMA
Courant - Rectifié moyenne (Io) 12A 1A 12A 1A
Séries eSMP® - eSMP® -
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 125°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Package / Boîte TO-277, 3-PowerDFN DO-219AB TO-277, 3-PowerDFN DO-214AC, SMA
La technologie Schottky - Schottky Schottky
Numéro de produit de base SS12P3 - SS12P4 SS12
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 30 V 400µA @ 20V 800 µA @ 40 V 45 µA @ 20 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité à Vr, F 930pF @ 4V, 1MHz - 750pF @ 4V, 1MHz -
Emballer Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery = 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Fiche technique SS12P3LHM3/86A PDF

Téléchargez SS12P3LHM3/86A PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour SS12P3LHM3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

PCN Autre
DD-005-2015-Rev-0 26/Jan2015.pdf
Feuilles de données
SS12P2L & SS12P3L.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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SS12P3LHM3/86A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SS12P3LHM3/86A

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