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AccueilCentre des produitsProtection des circuitsTVS - DiodesSM8S33A-001HE3/2D
SM8S33A-001HE3/2D Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SM8S33A-001HE3/2D - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
SM8S33A-001HE3/2D
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-SM8S33A-001HE3/2D
Modèle ECAD
Description des pièces
TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Description détaillée
Emballage
DO-218AB
Fiche technique
SM8S10 - SM8S43A.pdf
En stock: 4270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SM8S33A-001HE3/2D
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SM8S33A-001HE3/2D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SM8S33A-001HE3/2D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - inverse (typ) 33V  
Tension - Clamping (Max) @ Ipp 53.3V  
Tension - Réduction (Min) 36.7V  
Canaux unidirectionnels 1  
Type Zener  
Package composant fournisseur DO-218AB  
Séries Automotive, AEC-Q101, PAR®  
Protection de ligne électrique No  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Power - Peak Pulse 6600W (6.6kW)  
Package / Boîte DO-218AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Courant - Pulse (10 / 1000μs) 124A  
Capacitance @ Fréquence -  
Numéro de produit de base SM8S33  
Applications Automotive  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S33A-001HE3/2D

Attributs du produit SM8S33A-001HE3/2D SM8S33A SM8S30AHE3_A/I SM8S33A-TP
Modèle de produit SM8S33A-001HE3/2D SM8S33A SM8S30AHE3_A/I SM8S33A-TP
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMC Diode Solutions Vishay General Semiconductor - Diodes Division Micro Commercial Co
Type Zener Zener Zener Zener
Package composant fournisseur DO-218AB DO-218AB DO-218AB DO-218AB
Numéro de produit de base SM8S33 SM8S33 SM8S30 SM8S33
Tension - Réduction (Min) 36.7V 36.7V 33.3V 36.7V
Package / Boîte DO-218AB DO-218AB DO-218AB DO-218AB
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Canaux unidirectionnels 1 1 1 1
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Pulse (10 / 1000μs) 124A 124A 136A 124A
Power - Peak Pulse 6600W (6.6kW) 6600W (6.6kW) 6600W (6.6kW) 6600W (6.6kW)
Tension - inverse (typ) 33V 33V 30V 33V
Applications Automotive Automotive Automotive Automotive
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries Automotive, AEC-Q101, PAR® Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, PAR® Automotive, AEC-Q101
Protection de ligne électrique No No No No
Capacitance @ Fréquence - - - -
Tension - Clamping (Max) @ Ipp 53.3V 53.3V 48.4V 53.3V

Fiche technique SM8S33A-001HE3/2D PDF

Téléchargez SM8S33A-001HE3/2D PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour SM8S33A-001HE3/2D - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

PCN Obsolescence / EOL
PAR® TVS 29/Aug/2016.pdf
Fiche technique HTML
SM8S10 - SM8S43A.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SM8S33A-001HE3/2D

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SM8S33A-001HE3/2D

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