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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleSA2M-E3/61T
SA2M-E3/61T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SA2M-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
SA2M-E3/61T
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-SA2M-E3/61T
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Description détaillée
Emballage
DO-214AC, SMA
Fiche technique
SA2B - SA2M.pdf
État RoHS
En stock: 305600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SA2M-E3/61T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SA2M-E3/61T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SA2M-E3/61T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 2 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA)  
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.5 µs  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-214AC, SMA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 3 µA @ 1000 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 2A  
Capacité à Vr, F 11pF @ 4V, 1MHz  
Numéro de produit de base SA2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2M-E3/61T

Attributs du produit SA2M-E3/61T SA2D-E3/61T SA2M-E3/5AT SA2J-E3/61T
Modèle de produit SA2M-E3/61T SA2D-E3/61T SA2M-E3/5AT SA2J-E3/61T
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit de base SA2 SA2 SA2 SA2
Courant - fuite, inverse à Vr 3 µA @ 1000 V 3 µA @ 200 V 3 µA @ 1000 V 3 µA @ 600 V
La technologie Standard Standard Standard Standard
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.5 µs 1.5 µs 1.5 µs 1.5 µs
Capacité à Vr, F 11pF @ 4V, 1MHz 11pF @ 4V, 1MHz 11pF @ 4V, 1MHz 11pF @ 4V, 1MHz
Courant - Rectifié moyenne (Io) 2A 2A 2A 2A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V 200 V 1000 V 600 V
Package / Boîte DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 2 A 1.1 V @ 2 A 1.1 V @ 2 A 1.1 V @ 2 A
Séries - - - -
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA)

Fiche technique SA2M-E3/61T PDF

Téléchargez SA2M-E3/61T PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour SA2M-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Assemblage / origine PCN
Multiple Parts 21/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
SA2B - SA2M.pdf

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Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SA2M-E3/61T

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SA2M-E3/61T

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