Spécifications
Spécifications techniques S5MS-E3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S5MS-E3/9AT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S5MS-E3/9AT
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Fabricant |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
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| Tension - directe (Vf) (max) @ Si |
940 mV @ 2.5 A |
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| Tension - inverse (Vr) (max) |
1000 V |
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| La technologie |
Standard |
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| Package composant fournisseur |
DO-214AB (SMC) |
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| La vitesse |
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
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| Séries |
- |
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| Temps de recouvrement inverse (trr) |
2.5 µs |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Package / Boîte |
DO-214AB, SMC |
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| Emballer |
Tape & Reel (TR) |
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| Température d'utilisation - Jonction |
-55°C ~ 150°C |
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| Type de montage |
Surface Mount |
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| Courant - fuite, inverse à Vr |
10 µA @ 1000 V |
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| Courant - Rectifié moyenne (Io) |
1.6A |
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| Capacité à Vr, F |
40pF @ 4V, 1MHz |
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| Numéro de produit de base |
S5M |
|
Mode de transport
Délai de livraison
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méthode de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
- Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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S5M8767A01-6130Samsung Semiconductor
S5M-R1-00001PANJIT
S5M R7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
S5MC-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 5A SMC