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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleS1GHE3/5AT
S1GHE3/5AT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

S1GHE3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
S1GHE3/5AT
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-S1GHE3/5AT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Description détaillée
Emballage
DO-214AC, SMA
Fiche technique
S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1M.pdf
État RoHS
En stock: 4050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques S1GHE3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1GHE3/5AT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1GHE3/5AT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 1 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 400 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA)  
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.8 µs  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-214AC, SMA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 µA @ 400 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A  
Capacité à Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz  
Numéro de produit de base S1G  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1GHE3/5AT

Attributs du produit S1GHE3/5AT S1GA-E3/5AT S1GHM3/61T S1GHE3_A/I
Modèle de produit S1GHE3/5AT S1GA-E3/5AT S1GHM3/61T S1GHE3_A/I
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A 1A 1A 1A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 1 A 1.1 V @ 1 A 1.1 V @ 1 A 1.1 V @ 1 A
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA
Séries - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Tension - inverse (Vr) (max) 400 V 400 V 400 V 400 V
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.8 µs 1 µs 1.8 µs 1.8 µs
Courant - fuite, inverse à Vr 1 µA @ 400 V 3 µA @ 400 V 1 µA @ 400 V 1 µA @ 400 V
Capacité à Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz 8pF @ 4V, 1MHz 12pF @ 4V, 1MHz 12pF @ 4V, 1MHz
La technologie Standard Standard Standard Standard
Numéro de produit de base S1G S1G S1G S1G
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C

Fiche technique S1GHE3/5AT PDF

Téléchargez S1GHE3/5AT PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour S1GHE3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Feuilles de données
S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1M.pdf
PCN Obsolescence / EOL
PCN-DD-025-2012-Rev-0 28/Nov/2012.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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