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RS1D-E3/5AT Image
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RS1D-E3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
RS1D-E3/5AT
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-RS1D-E3/5AT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Emballage
DO-214AC, SMA
Fiche technique
RS1A thru RS1K.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 496250

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques RS1D-E3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - RS1D-E3/5AT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - RS1D-E3/5AT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 1 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 150 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-214AC, SMA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 5 µA @ 200 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A  
Capacité à Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz  
Numéro de produit de base RS1D  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1D-E3/5AT

Attributs du produit RS1D-E3/5AT RS1B-E3/61T RS1DHE3/61T RS1B-13-F
Modèle de produit RS1D-E3/5AT RS1B-E3/61T RS1DHE3/61T RS1B-13-F
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 100 V 200 V 100 V
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA) SMA
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C
Temps de recouvrement inverse (trr) 150 ns 150 ns 150 ns 150 ns
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A 1A 1A 1A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base RS1D RS1B RS1 RS1B
Courant - fuite, inverse à Vr 5 µA @ 200 V 5 µA @ 100 V 5 µA @ 200 V 5 µA @ 100 V
Package / Boîte DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 1 A 1.3 V @ 1 A 1.3 V @ 1 A 1.3 V @ 1 A
La technologie Standard Standard Standard Standard
Capacité à Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz 15pF @ 4V, 1MHz

Fiche technique RS1D-E3/5AT PDF

Téléchargez RS1D-E3/5AT PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour RS1D-E3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Assemblage / origine PCN
Multiple Parts 21/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
RS1A thru RS1K.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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RS1D-E3/5AT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-RS1D-E3/5AT

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