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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleMSS1P6HM3_A/H
MSS1P6HM3_A/H Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MSS1P6HM3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
MSS1P6HM3_A/H
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-MSS1P6HM3_A/H
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
Description détaillée
Emballage
MicroSMP
Fiche technique
MSS1P5,P6.pdf
État RoHS
En stock: 448950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MSS1P6HM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MSS1P6HM3_A/H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MSS1P6HM3_A/H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 680 mV @ 1 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 60 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur MicroSMP (DO-219AD)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Package / Boîte MicroSMP  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 150 µA @ 60 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A  
Capacité à Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz  
Numéro de produit de base MSS1P6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P6HM3_A/H

Attributs du produit MSS1P6HM3_A/H MSS1P6-E3/89A MSS1P6-M3/89A MSS1P5-E3/89A
Modèle de produit MSS1P6HM3_A/H MSS1P6-E3/89A MSS1P6-M3/89A MSS1P5-E3/89A
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tension - inverse (Vr) (max) 60 V 60 V 60 V 50 V
Numéro de produit de base MSS1P6 MSS1P6 MSS1P6 MSS1P5
Séries Automotive, AEC-Q101 eSMP® eSMP® eSMP®
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A 1A 1A 1A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - fuite, inverse à Vr 150 µA @ 60 V 150 µA @ 60 V 150 µA @ 60 V 150 µA @ 50 V
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Package / Boîte MicroSMP MicroSMP MicroSMP MicroSMP
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Capacité à Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz 40pF @ 4V, 1MHz 40pF @ 4V, 1MHz 40pF @ 4V, 1MHz
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 680 mV @ 1 A 680 mV @ 1 A 680 mV @ 1 A 680 mV @ 1 A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur MicroSMP (DO-219AD) MicroSMP (DO-219AD) MicroSMP (DO-219AD) MicroSMP (DO-219AD)

Fiche technique MSS1P6HM3_A/H PDF

Téléchargez MSS1P6HM3_A/H PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour MSS1P6HM3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 23/Nov/2021.pdf
Feuilles de données
MSS1P5,P6.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MSS1P6HM3_A/H

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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