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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBRF10H90CT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBRF10H90CT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
MBRF10H90CT-E3/45
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-MBRF10H90CT-E3/45
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V ITO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
MBR(F, B)10H100CT.pdf
État RoHS
En stock: 4890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBRF10H90CT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBRF10H90CT-E3/45 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBRF10H90CT-E3/45

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 760 mV @ 5 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 90 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur ITO-220AB  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 3.5 µA @ 90 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 5A  
Numéro de produit de base MBRF10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H90CT-E3/45

Attributs du produit MBRF10H90CT-E3/45 MBRF10H150CT-E3/45 MBRF10L100CT MBRF10L60CTG
Modèle de produit MBRF10H90CT-E3/45 MBRF10H150CT-E3/45 MBRF10L100CT MBRF10L60CTG
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation onsemi
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack
Package composant fournisseur ITO-220AB ITO-220AB ITO-220AB TO-220FP
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 760 mV @ 5 A 880 mV @ 5 A 850 mV @ 10 A 570 mV @ 5 A
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 5A 5A 10A 5A
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Courant - fuite, inverse à Vr 3.5 µA @ 90 V 5 µA @ 150 V 20 mA @ 100 V 220 µA @ 60 V
Numéro de produit de base MBRF10 MBRF10 MBRF10 MBRF10
Tension - inverse (Vr) (max) 90 V 150 V 100 V 60 V
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Séries - - - SWITCHMODE™

Fiche technique MBRF10H90CT-E3/45 PDF

Téléchargez MBRF10H90CT-E3/45 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour MBRF10H90CT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
PCN Obsolescence / EOL
TVS/Rectifier Prod EOL 9/Dec/2016.pdf
Feuilles de données
MBR(F, B)10H100CT.pdf
Assemblage / origine PCN
DD-19-2014 Rev 0 07/Aug/2014.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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