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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleMBRB1060-E3/81
MBRB1060-E3/81 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBRB1060-E3/81 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
MBRB1060-E3/81
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-MBRB1060-E3/81
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
MBR10xx, MBRF10xx, MBRB10xx.pdf
État RoHS
En stock: 44780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBRB1060-E3/81
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBRB1060-E3/81 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBRB1060-E3/81

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 800 mV @ 10 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 60 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-263AB (D²PAK)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 100 µA @ 60 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base MBRB1060  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1060-E3/81

Attributs du produit MBRB1060-E3/81 MBRB1045 MBRB1045 MBRB1060TR
Modèle de produit MBRB1060-E3/81 MBRB1045 MBRB1045 MBRB1060TR
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 800 mV @ 10 A 840 mV @ 20 A 840 mV @ 20 A 800mV @ 10A
Courant - fuite, inverse à Vr 100 µA @ 60 V 100 µA @ 45 V 100 µA @ 45 V 1mA @ 60V
Tension - inverse (Vr) (max) 60 V 45 V 45 V 60V
Package composant fournisseur TO-263AB (D²PAK) D²PAK TO-263AB (D²PAK) D2PAK
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery = 200mA (Io)
La technologie Schottky Schottky Schottky -
Séries - SWITCHMODE™ - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité à Vr, F - - - 400pF @ 5V, 1MHz
Numéro de produit de base MBRB1060 MBRB1045 MBRB10 -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A 10A 10A -

Fiche technique MBRB1060-E3/81 PDF

Téléchargez MBRB1060-E3/81 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour MBRB1060-E3/81 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 31/Aug/2018.pdf
Conception / spécification PCN
MBRB15XXCT-E3/MBRB7XX-E3 16/Dec/2016.pdf
Feuilles de données
MBR10xx, MBRF10xx, MBRB10xx.pdf

Mode de transport

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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