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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs de pontMB6M-E3/45
MB6M-E3/45 Image
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MB6M-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
MB6M-E3/45
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-MB6M-E3/45
Modèle ECAD
Description des pièces
BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBM
Emballage
4-DIP (0.200', 5.08mm)
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
MB2M, MB4M & MB6M.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 160880

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques MB6M-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MB6M-E3/45 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MB6M-E3/45

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - Inverse de crête (max) 600 V  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 400 mA  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur MBM  
Séries -  
Package / Boîte 4-DIP (0.200', 5.08mm)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type de diode Single Phase  
Courant - fuite, inverse à Vr 5 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 500 mA  
Numéro de produit de base MB6  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0070

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB6M-E3/45

Attributs du produit MB6M-E3/45 MB6S-E3/45 MB6F-08 MB6S 3K/R
Modèle de produit MB6M-E3/45 MB6S-E3/45 MB6F-08 MB6S 3K/R
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division PANJIT
Courant - fuite, inverse à Vr 5 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V - -
Package composant fournisseur MBM TO-269AA (MBS) - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Package / Boîte 4-DIP (0.200', 5.08mm) TO-269AA, 4-BESOP - -
Numéro de produit de base MB6 MB6 - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 400 mA 1 V @ 400 mA - -
Emballer Tube Tube - -
Séries - - - -
Type de diode Single Phase Single Phase - -
Type de montage Through Hole Surface Mount - -
La technologie Standard Standard - -
Tension - Inverse de crête (max) 600 V 600 V - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 500 mA 500 mA - -

Fiche technique MB6M-E3/45 PDF

Téléchargez MB6M-E3/45 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour MB6M-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf
Fiche technique HTML
MB2M, MB4M & MB6M.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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MB6M-E3/45

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-MB6M-E3/45

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