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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs de pontLVE2560-M3R/P
LVE2560-M3R/P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

LVE2560-M3R/P - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
LVE2560-M3R/P
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-LVE2560-M3R/P
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE BRIDGE
Description détaillée
Emballage
4-SIP, GSIB-5S
Fiche technique
LVE2560-M3R/P.pdf
En stock: 5190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques LVE2560-M3R/P
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - LVE2560-M3R/P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - LVE2560-M3R/P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - Inverse de crête (max) 600 V  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 920 mV @ 12.5 A  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur GSIB-5S  
Séries -  
Package / Boîte 4-SIP, GSIB-5S  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type de diode Single Phase  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 25 A  
Numéro de produit de base LVE2560  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division LVE2560-M3R/P

Attributs du produit LVE2560-M3R/P GBJ804-F 52MT80KB DF06S1
Modèle de produit LVE2560-M3R/P GBJ804-F 52MT80KB DF06S1
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi
La technologie Standard Standard Standard Standard
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 4-SIP, GSIB-5S 4-SIP, GBJ MTK 4-SMD, Gull Wing
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 600 V 5 µA @ 400 V - 5 µA @ 600 V
Numéro de produit de base LVE2560 GBJ804 52MT80 DF06
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount Surface Mount
Package composant fournisseur GSIB-5S GBJ MTK 4-SDIP
Type de diode Single Phase Single Phase Three Phase Single Phase
Courant - Rectifié moyenne (Io) 25 A 8 A 55 A 1 A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 920 mV @ 12.5 A 1 V @ 4 A - 1.1 V @ 1 A
Tension - Inverse de crête (max) 600 V 400 V 800 V 600 V

Fiche technique LVE2560-M3R/P PDF

Téléchargez LVE2560-M3R/P PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour LVE2560-M3R/P - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Feuilles de données
LVE2560-M3R/P.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 23/Apr/2021.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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LVE2560-M3R/P

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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