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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleGI752-E3/54
GI752-E3/54 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GI752-E3/54 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
GI752-E3/54
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-GI752-E3/54
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 200V 6A P600
Description détaillée
Emballage
P600, Axial
Fiche technique
GI750 thru GI758.pdf
État RoHS
En stock: 66450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GI752-E3/54
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GI752-E3/54 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GI752-E3/54

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 900 mV @ 6 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur P600  
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 2.5 µs  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte P600, Axial  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -50°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 5 µA @ 200 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A  
Capacité à Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz  
Numéro de produit de base GI752  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI752-E3/54

Attributs du produit GI752-E3/54 GI750-E3/54 1N1582 1N1352
Modèle de produit GI752-E3/54 GI750-E3/54 1N1582 1N1352
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Microchip Technology Microchip Technology
Température d'utilisation - Jonction -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -65°C ~ 200°C -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 900 mV @ 6 A 900 mV @ 6 A 1.3 V @ 30 A -
Package composant fournisseur P600 P600 DO-4 (DO-203AA) -
Courant - fuite, inverse à Vr 5 µA @ 200 V 5 µA @ 50 V 10 µA @ 100 V -
Package / Boîte P600, Axial P600, Axial DO-203AA, DO-4, Stud -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
La technologie Standard Standard Standard -
Numéro de produit de base GI752 GI750 - 1N1352
Type de montage Through Hole Through Hole Stud Mount -
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) -
Temps de recouvrement inverse (trr) 2.5 µs 2.5 µs - -
Séries - - - *
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A 6A 16A -
Capacité à Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz 150pF @ 4V, 1MHz - -
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 50 V 100 V -

Fiche technique GI752-E3/54 PDF

Téléchargez GI752-E3/54 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour GI752-E3/54 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Multi 04/Mar/2022.pdf
Feuilles de données
GI750 thru GI758.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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GI752-E3/54

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-GI752-E3/54

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