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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesGA200SA60S
GA200SA60S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GA200SA60S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
GA200SA60S
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-GA200SA60S
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MOD 600V 200A 630W SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
GA200SA60S.pdf
En stock: 3940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GA200SA60S
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GA200SA60S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GA200SA60S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.3V @ 15V, 100A  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries -  
Puissance - Max 630 W  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
NTC thermistance No  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 16.25 nF @ 30 V  
Contribution Standard  
type de IGBT -  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1 mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200 A  
Configuration Single  
Numéro de produit de base GA200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division GA200SA60S

Attributs du produit GA200SA60S GA200SA60U GA200SA60UP GA200LS60U
Modèle de produit GA200SA60S GA200SA60U GA200SA60UP GA200LS60U
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division IR IR
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200 A 200 A - -
Contribution Standard Standard - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.3V @ 15V, 100A 1.9V @ 15V, 100A - -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC - -
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount - -
Puissance - Max 630 W 500 W - -
NTC thermistance No No - -
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B - -
Configuration Single Single - -
type de IGBT - - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1 mA 1 mA - -
Numéro de produit de base GA200 GA200 - -
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 16.25 nF @ 30 V 16.5 nF @ 30 V - -

Fiche technique GA200SA60S PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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GA200SA60S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-GA200SA60S

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