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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFA38SA50LC
FA38SA50LC Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FA38SA50LC - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
FA38SA50LC
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-FA38SA50LC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
FA38SA50LC.pdf
En stock: 4360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FA38SA50LC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - FA38SA50LC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - FA38SA50LC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 23A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 420 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)  
Numéro de produit de base FA38  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division FA38SA50LC

Attributs du produit FA38SA50LC FA3L4Z-T1B FA3728B-D5 FA3698F
Modèle de produit FA38SA50LC FA3L4Z-T1B FA3728B-D5 FA3698F
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division NEC Fujitsu Electronics America, Inc. Fujitsu Electronics America, Inc.
Type de montage Chassis Mount - - -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC - - -
Package composant fournisseur SOT-227 - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V - - -
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 420 nC @ 10 V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 23A, 10V - - -
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc) - - -
Séries HEXFET® - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
type de FET N-Channel - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Emballer Tube - - -
Numéro de produit de base FA38 - - -

Fiche technique FA38SA50LC PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-FA38SA50LC

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