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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - Zener - SingleBZX55C9V1-TAP
BZX55C9V1-TAP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BZX55C9V1-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
BZX55C9V1-TAP
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-BZX55C9V1-TAP
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Description détaillée
Emballage
DO-204AH, DO-35, Axial
Fiche technique
BZX55 Series.pdf
État RoHS
En stock: 1203900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BZX55C9V1-TAP
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZX55C9V1-TAP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZX55C9V1-TAP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - Zener (Nom) (Vz) 9.1 V  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.5 V @ 200 mA  
Tolérance ±5%  
Package composant fournisseur DO-35 (DO-204AH)  
Séries Automotive, AEC-Q101, BZX55  
Puissance - Max 500 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-204AH, DO-35, Axial  
Emballer Cut Tape (CT)  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C  
Type de montage Through Hole  
Impédance (Max) (Zzt) 10 Ohms  
Courant - fuite, inverse à Vr 100 nA @ 6.8 V  
Numéro de produit de base BZX55C9V1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C9V1-TAP

Attributs du produit BZX55C9V1-TAP BZX55C9V1 BZX55C8V2 BZX55C8V2
Modèle de produit BZX55C9V1-TAP BZX55C9V1 BZX55C8V2 BZX55C8V2
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi Fairchild Semiconductor Taiwan Semiconductor Corporation
Puissance - Max 500 mW 500 mW 500 mW 500 mW
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries Automotive, AEC-Q101, BZX55 - - -
Package composant fournisseur DO-35 (DO-204AH) DO-35 DO-35 (DO-204AH) DO-35
Numéro de produit de base BZX55C9V1 BZX55C9 - BZX55
Tension - Zener (Nom) (Vz) 9.1 V 9.1 V 8.2 V 8.2 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.5 V @ 200 mA 1.3 V @ 100 mA 1.3 V @ 100 mA 1 V @ 100 mA
Impédance (Max) (Zzt) 10 Ohms 10 Ohms 7 Ohms 7 Ohms
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tolérance ±5% ±6% ±6% ±5%
Emballer Cut Tape (CT) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-204AH, DO-35, Axial DO-204AH, DO-35, Axial DO-204AH, DO-35, Axial DO-204AH, DO-35, Axial
Courant - fuite, inverse à Vr 100 nA @ 6.8 V 100 nA @ 7 V 100 nA @ 6 V 100 nA @ 6.2 V

Fiche technique BZX55C9V1-TAP PDF

Téléchargez BZX55C9V1-TAP PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour BZX55C9V1-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Wafer Source 12/Nov/2021.pdf
Feuilles de données
BZX55 Series.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BZX55C9V1-TAP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-BZX55C9V1-TAP

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