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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - Zener - SingleBZD27C9V1P-E3-08
BZD27C9V1P-E3-08 Image
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BZD27C9V1P-E3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
BZD27C9V1P-E3-08
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-BZD27C9V1P-E3-08
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219AB
Emballage
DO-219AB
Fiche technique
BZD27 Series.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 243490

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques BZD27C9V1P-E3-08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27C9V1P-E3-08 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27C9V1P-E3-08

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - Zener (Nom) (Vz) 9.1 V  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2 V @ 200 mA  
Tolérance -  
Package composant fournisseur DO-219AB (SMF)  
Séries BZD27C  
Puissance - Max 800 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-219AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Impédance (Max) (Zzt) 4 Ohms  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 5 V  
Numéro de produit de base BZD27C9V1  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C9V1P-E3-08

Attributs du produit BZD27C9V1P-E3-08 BZD27C8V2P-HE3-08 BZD27C82P-HE3-08 BZD27C8V2P-M3-08
Modèle de produit BZD27C9V1P-E3-08 BZD27C8V2P-HE3-08 BZD27C82P-HE3-08 BZD27C8V2P-M3-08
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tolérance - - - -
Package / Boîte DO-219AB DO-219AB DO-219AB DO-219AB
Numéro de produit de base BZD27C9V1 BZD27C8V2 BZD27C82 BZD27C8V2
Tension - Zener (Nom) (Vz) 9.1 V 8.2 V 82 V 8.2 V
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 5 V 10 µA @ 3 V 1 µA @ 62 V 10 µA @ 3 V
Puissance - Max 800 mW 800 mW 800 mW 800 mW
Séries BZD27C Automotive, AEC-Q101, BZD27C Automotive, AEC-Q101, BZD27C BZD27-M
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
Package composant fournisseur DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA
Impédance (Max) (Zzt) 4 Ohms 2 Ohms 100 Ohms 2 Ohms

Fiche technique BZD27C9V1P-E3-08 PDF

Téléchargez BZD27C9V1P-E3-08 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour BZD27C9V1P-E3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev 27/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
BZD27 Series.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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Contactez nous si vous avez des questions.

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BZD27C9V1P-E3-08

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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