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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleBYWF29-150-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BYWF29-150-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
BYWF29-150-E3/45
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-BYWF29-150-E3/45
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 150V 8A ITO220AC
Description détaillée
Emballage
TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
BYW(F,B)29-50 thru 29-200.pdf
État RoHS
En stock: 58810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BYWF29-150-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYWF29-150-E3/45 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYWF29-150-E3/45

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 20 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 150 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur ITO-220AC  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 150 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base BYWF29  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWF29-150-E3/45

Attributs du produit BYWF29-150-E3/45 BYW98-200 BYWB29-100-E3/81 BYWB29-200-E3/81
Modèle de produit BYWF29-150-E3/45 BYW98-200 BYWB29-100-E3/81 BYWB29-200-E3/81
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division STMicroelectronics Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Package composant fournisseur ITO-220AC DO-201AD TO-263AB (D²PAK) TO-263AB (D²PAK)
La technologie Standard Standard Standard Standard
Package / Boîte TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab DO-201AD, Axial TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension - inverse (Vr) (max) 150 V 200 V 100 V 200 V
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 150 V 10 µA @ 200 V 10 µA @ 100 V 10 µA @ 200 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 20 A 1.2 V @ 9 A 1.3 V @ 20 A 1.3 V @ 20 A
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A 3A 8A 8A
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C 150°C (Max) -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C
Numéro de produit de base BYWF29 BYW98 BYWB29 BYWB29
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns 35 ns 25 ns 25 ns
Capacité à Vr, F - - - -
Emballer Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Séries - - - -

Fiche technique BYWF29-150-E3/45 PDF

Téléchargez BYWF29-150-E3/45 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour BYWF29-150-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 31/Aug/2018.pdf
Feuilles de données
BYW(F,B)29-50 thru 29-200.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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