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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleBYG20D-E3/TR3
BYG20D-E3/TR3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BYG20D-E3/TR3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
BYG20D-E3/TR3
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-BYG20D-E3/TR3
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Description détaillée
Emballage
DO-214AC, SMA
Fiche technique
BYG20D thru BYG20J.pdf
État RoHS
En stock: 424550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BYG20D-E3/TR3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYG20D-E3/TR3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYG20D-E3/TR3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.4 V @ 1.5 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Avalanche  
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-214AC, SMA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 µA @ 200 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1.5A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base BYG20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG20D-E3/TR3

Attributs du produit BYG20D-E3/TR3 BYG20D BYG20G BYG10MHE3_A/H
Modèle de produit BYG20D-E3/TR3 BYG20D BYG20G BYG10MHE3_A/H
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diotec Semiconductor Taiwan Semiconductor Corporation Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit de base BYG20 - BYG20 BYG10
Capacité à Vr, F - - - -
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Boîte DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns 75 ns 75 ns 4 µs
Courant - fuite, inverse à Vr 1 µA @ 200 V 1 µA @ 200 V 1 µA @ 400 V 1 µA @ 1000 V
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.4 V @ 1.5 A 1.4 V @ 1.5 A 1.4 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
La technologie Avalanche Avalanche Standard Avalanche
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA) DO-214AC, SMA DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA)
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 200 V 400 V 1000 V

Fiche technique BYG20D-E3/TR3 PDF

Téléchargez BYG20D-E3/TR3 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour BYG20D-E3/TR3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Feuilles de données
BYG20D thru BYG20J.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BYG20D-E3/TR3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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