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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleBAS21-E3-08
BAS21-E3-08 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BAS21-E3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
BAS21-E3-08
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-BAS21-E3-08
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
BAS19, 20, 21.pdf
État RoHS
En stock: 730500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BAS21-E3-08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BAS21-E3-08 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BAS21-E3-08

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.25 V @ 200 mA  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 50 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 100 nA @ 200 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 200mA  
Capacité à Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz  
Numéro de produit de base BAS21  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS21-E3-08

Attributs du produit BAS21-E3-08 BAS21-G3-08 BAS21-AU_R1_000A1 BAS21-HE3-18
Modèle de produit BAS21-E3-08 BAS21-G3-08 BAS21-AU_R1_000A1 BAS21-HE3-18
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Panjit International Inc. Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Courant - Rectifié moyenne (Io) 200mA 200mA 200mA 200mA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.25 V @ 200 mA 1.25 V @ 200 mA 1 V @ 100 mA 1.25 V @ 200 mA
Numéro de produit de base BAS21 BAS21 BAS21 BAS21
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de recouvrement inverse (trr) 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 200 V 200 V 200 V
La technologie Standard Standard Standard Standard
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
Capacité à Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz 5pF @ 0V, 1MHz 1.5pF @ 0V, 1MHz 5pF @ 0V, 1MHz
Courant - fuite, inverse à Vr 100 nA @ 200 V 100 nA @ 200 V 1 µA @ 200 V 100 nA @ 200 V
Séries - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique BAS21-E3-08 PDF

Téléchargez BAS21-E3-08 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour BAS21-E3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Feuilles de données
BAS19, 20, 21.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-BAS21-E3-08

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