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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleB120-E3/61T
B120-E3/61T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

B120-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
B120-E3/61T
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-B120-E3/61T
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
Description détaillée
Emballage
DO-214AC, SMA
Fiche technique
B120 thru B160.pdf
État RoHS
En stock: 394450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques B120-E3/61T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - B120-E3/61T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - B120-E3/61T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 520 mV @ 1 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 20 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte DO-214AC, SMA  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 125°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 200 µA @ 20 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base B120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division B120-E3/61T

Attributs du produit B120-E3/61T B120-13-F B120-13 B1203LS-1W
Modèle de produit B120-E3/61T B120-13-F B120-13 B1203LS-1W
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Diodes Incorporated TESLA
Capacité à Vr, F - 110pF @ 4V, 1MHz 110pF @ 4V, 1MHz -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 125°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -
Numéro de produit de base B120 B120 B120 -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 520 mV @ 1 A 500 mV @ 1 A 500 mV @ 1 A -
Tension - inverse (Vr) (max) 20 V 20 V 20 V -
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA) SMA SMA -
Courant - fuite, inverse à Vr 200 µA @ 20 V 500 µA @ 20 V 500 µA @ 20 V -
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Séries - - - -
Package / Boîte DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A 1A 1A -
La technologie Schottky Schottky Schottky -

Fiche technique B120-E3/61T PDF

Téléchargez B120-E3/61T PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour B120-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Assemblage / origine PCN
Multiple Parts 21/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
B120 thru B160.pdf
Conception / spécification PCN
Chip Thickness Update 17/Jul/2015.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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