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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single8EWF10S
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

8EWF10S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
8EWF10S
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-8EWF10S
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
8EWFzzS Series, 1000 to 1200V.pdf
En stock: 5340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 8EWF10S
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 8EWF10S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 8EWF10S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 8 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252AA)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 270 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 100 µA @ 1000 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base 8EWF10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8EWF10S

Attributs du produit 8EWF10S 8EWF06STRL 8EWF12S 8EWF10STRL
Modèle de produit 8EWF10S 8EWF06STRL 8EWF12S 8EWF10STRL
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit de base 8EWF10 8EWF06 8EWF12 8EWF10
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Séries - - - -
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA)
La technologie Standard Standard Standard Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 8 A 1.2 V @ 8 A 1.3 V @ 8 A 1.3 V @ 8 A
Temps de recouvrement inverse (trr) 270 ns 140 ns 270 ns 270 ns
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - fuite, inverse à Vr 100 µA @ 1000 V 100 µA @ 600 V 100 µA @ 1200 V 100 µA @ 1000 V
Capacité à Vr, F - - - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A 8A 8A 8A
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V 600 V 1200 V 1000 V

Fiche technique 8EWF10S PDF

Téléchargez 8EWF10S PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour 8EWF10S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Feuilles de données
8EWFzzS Series, 1000 to 1200V.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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